兆易創新(603986)近日宣布正式推出基于RISC-V內核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。據了解GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接,為需要高效無線傳輸的市場應用持續提供解決方案。全新產品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項,現已開放樣片和開發板卡申請,并將于12月份正式量產供貨。
事實上兆易創新是以存儲器為起點的半導體公司,其SPI NOR Flash已經連續十年在市場占有率排名前三,市場占有率也已經超過了20%,幾乎所有需要存儲代碼的應用領域都有覆蓋。
Flash迎來發展機會
當下產業數字化轉型、數字中國建設等的發展帶動更高更大的數據量,在所有行業的數字化發展當中,Flash對于數據的存儲、代碼的存儲至關重要,可以說是系統運行的保險箱,同時廣泛的應用場景也需要功能豐富的存儲器提供支持。
9月26日,第11屆年度EEVIA中國硬科技媒體論壇暨產業鏈研創趨勢展望研討會上,兆易創新Flash 事業部產品市場經理張靜女士表示,隨著越來越多的電子設備趨向于便攜式、可移動性方向的發展,對于低功耗的需求帶來延長續航時間變得越來越重要。
什么是Flash?flash閃存是非易失存儲器,可以對存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。
張靜女士表示,Flash作為電子設備系統非常重要,到目前,兆易創新Flash出貨量已經超過200多億顆。
兆易創新Flash從應用來看,近幾年來發展非?,十年前僅布局消費類領域。由于近些年來一些新興領域發展帶動,比如物聯網、手機OLED屏幕、5G基站和汽車電子等,Flash應用領域越來越廣泛。推動了Flash新發展機遇。
產品豐富基于強大研發實力
存儲行業快速發展,源于兆易創新對研發投入的重視和強大的研發實力。所以從產品布局上來講,近些年來變化也非常大。
張靜女士稱,兆易創新現在存儲線產品線不止有NOR Flash,NAND類型拓展得更豐富,可以支持四種類型,容量拓展到8GB。近些年根據不同應用場景,也開發豐富的新型封裝形式。溫度等級方面,兆易創新不只是拓展了工規的85度,車規125度也可以支持。
張靜女士總結,兆易創新的存儲產品線可以支持27大產品系列、16種產品容量、4個電壓范圍、7款溫度規格、29種封裝方式。產品布局多樣化來自于公司對研發的重視,逐年提升的研發投入提升兆易創新產品競爭力。
推出不同低電壓、低功耗解決方案
隨著物聯網、可穿戴、汽車電子等新型領域的發展,對Flash的性能需求和要求越來越高。從Flash中直接運行代碼,可以節省RAM,從而節省成本。對于汽車電子這類需要高性能Flash,希望能提高傳輸速率,做到及時響應,從而提高用戶的體驗感。
對此兆易創新提出了高性能的解決方案,推出了T系列、LT系統,此系列最高性能可以支持到200MB每秒,這也是當前可以做到的業界性能領先的四口產品。
對于高性能需求,兆易創新推出了八口SPI Flash產品,在四口的產品上IO數量擴大了一倍。最高性能可以支持400MB每秒。
不同應用對Flash電壓需求也是不一樣,全球能源有限,節約能源的設計理念已經成為半導體行業一個主要的推動力。兆易創新認為低電壓、低功耗,是現在及未來的發展方向。
兆易創新秉承節約能源理念,推出了不同低電壓、低功耗的解決方案,來滿足不同應用的需求情況。電壓從3伏、到1.8伏,寬電壓1.65到3.6伏,再到更低的電壓需求,到1.2伏。
領先的封裝形式
Flash封裝在不同的應用提出了不同需求。隨著集成度越來越高,在一些尺寸受限的應用要求下,進一步縮小Flash的體積。
針對縮小封裝,兆易創新推出了業界首顆1.2×1.2的封裝,USON6封裝形式,這種封裝易于焊接和封裝,比較耐用。
以及WLCSP封裝,可以做到和裸die封裝尺寸大小一致,也可以做到產品中最小的封裝形式。但是它容易受損,系統的門檻會更高。當前在消費電子應用比較多。
在擴大封裝容量上,也提出了不同的引領創新的解決方案。在64兆的容量上,推出了業界最小尺寸的3×2mm FO-USON 8封裝。這個封裝形式是和USON 3×2的封裝形式完全兼容。當前USON 8 3×2的封裝最大可支持容量是32Mb,而兆易創新可以做到64Mb,客戶有擴容的需求,直接可以將其擴到64Mb,而無需更新PCB。另外和當前64Mb主流的封裝USON 4×4相比,3×2的封裝空間體積也減少了70%,對于緊湊型的設計,可以有更靈活的設計空間。
在128Mb的容量上,推出了業界最小尺寸的3×3mm封裝。3×3的FO-USON8封裝,兆易創新也可以做到和傳統的USON8 3×3封裝形式完全兼容。當前業界USON8 3×3最大可支持容量是64Mb?蛻粲袛U容需求,可以直接將其擴展到128Mb,而無需更新PCB。和128兆主流的封裝形式USON8 6×5相比,在空間體積上,3×3的封裝相對來講減少了85%空間體積,這個縮小是非常明顯。所以無論是從空間體積還是擴大容量方面,這兩個封裝形式都有非常大的優勢。
先進工藝制程SoC對NOR Flash的需求旺盛
7納米以下的制程工藝可以為汽車應用、手機、云計算SoC處理器帶來更快的計算速度、更強的圖片處理能力、更長的電池續航時間。
高性能低功耗SoC需求,對Flash也提出了更高要求,希望Flash可以做到高性能、低電壓、低功耗。對此,兆易創新也是推出了不同的解決方案。
兆易創新推出了更低電壓的解決方案,即NOR Flash的核心供電和IO的供電電壓都是1.2伏。這種方案它的電壓是和核心電壓SoC 1.2伏保持一致的電壓值,這樣就可以精簡1.2V SoC的電路設計,不需要增加升壓電路就可以直通信。
另外還提出了1.2伏VIO方案,此方案的核心電壓還是保持1.8伏,但是IO接口的電壓降低到1.2伏,和核心電壓為1.2伏的SoC在通信的時候,無需增加升壓電路,就可以直接通信,精簡1.2伏SoC的電路設計。同時保持了1.8伏的供電,可以做到和1.8伏同等的高性能的水平。另外IO口的電壓降低,消耗功率也會降低。
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